От mina
К igor62
Дата 27.10.2008 20:59:13
Рубрики Флот;

ЕМНИП .. интересная цифра в ней - срав-е ст-ти полупроводников СССР/США 55г. (-)
От А.Погорилый
К mina (27.10.2008 20:59:13)
Дата 27.10.2008 21:35:46

Re: ЕМНИП .....

>ЕМНИП .. интересная цифра в ней - срав-е ст-ти полупроводников СССР/США 55г.

Ни о чем не говорит. На 1955 год в СССР было еще только опытно-промышленное производство полупроводниковых приборов, а в США уже промышленное большого объема.
От Геннадий Нечаев
К А.Погорилый (27.10.2008 21:35:46)
Дата 28.10.2008 09:26:51

Re: ЕМНИП .....

Ave!

>Ни о чем не говорит. На 1955 год в СССР было еще только опытно-промышленное производство

Ну не знаю на счет объемов, но к 55-му году вполне себе германиевые сплавные транзисторы нескольких типов выпускались: самый распространенный в системах промышленной электроники образец, П16 - как раз с 55-го в производстве.

Omnia mea mecum porto
От А.Погорилый
К Геннадий Нечаев (28.10.2008 09:26:51)
Дата 28.10.2008 15:07:24

Re: ЕМНИП .....

>>Ни о чем не говорит. На 1955 год в СССР было еще только опытно-промышленное производство
>
>Ну не знаю на счет объемов, но к 55-му году вполне себе германиевые сплавные транзисторы нескольких типов выпускались: самый распространенный в системах промышленной электроники образец, П16 - как раз с 55-го в производстве.

Гоните.
В 1955 году еще П6 не было, они с 1956 года.
А П8-П11, П13-П15, П16 - они после П6 появились. Правда, очень скоро, П6 выпускались недолго.

1955 год - это транзисторы П1, П2, П3 и диоды ДГ-Ц.
От mina
К А.Погорилый (27.10.2008 21:35:46)
Дата 28.10.2008 05:13:21

Как раз говорит, именно тогда закладывалсь ряд принципиальных направлений развит

Как раз говорит, именно тогда закладывалсь ряд принципиальных направлений развития ВиВТ (те же "тяжелые ПКР"), и делалось все это не на "песке"- "завтра", а на реальных на тот момент основаниях (ограниченные возможности радиоэлектронной промышленности СССР)